Транзисторы - История изменений

User33 в 14:55, 5 июля 2012

2012-07-05T14:55:50Z

User3 в 21:06, 28 августа 2010

2010-08-28T21:06:51Z

← Предыдущая		Версия 21:06, 28 августа 2010
Строка 5:		Строка 5:
	<metakeywords>Физика, 10 класс, Транзисторы</metakeywords>		<metakeywords>Физика, 10 класс, Транзисторы</metakeywords>

-	Транзистор - хитроумный прибор. Понять принципы работы транзистора нелегко, но ведь его сумели изобрести! Надеемся, что вы сможете понять, как он работает, даже по краткому описанию.<br>   Рассмотрим один из видов транзисторов из германия или кремния с введенными в них донорными и акцепторными примесями. Распределение примесей таково, что создается очень тонкая (толщиной порядка нескольких микрометров) прослойка полупроводника ''n''-типа между двумя слоями полупроводника ''р''-типа (''рис.16.17''). Эту тонкую прослойку называют '''основанием''', или '''базой'''.<br>[[Image:~~a16~~.17.jpg\|center]]   В кристалле образуются два ''р-n''-перехода, прямые направления которых противоположны. Три вывода от областей с различными типами проводимости позволяют включать транзистор в схему, изображенную на рисунке 16.17. В данной схеме левый ''р-n''-переход является ''прямым'' и отделяет базу от области с проводимостью ''р''-типа, называемую '''эмиттером'''. Если бы не было правого ''р-n''-перехода, в цепи эмиттер - база существовал бы ток, зависящий от напряжения источников (батареи Б1 и источника переменного напряжения) и сопротивления цепи, включая малое сопротивление прямого перехода эмиттер - база.<br>   Батарея Б2 включена так, что правый ''р-n''-переход в схеме (см. рис. 16.17) является ''обратным''. Он отделяет базу от правой области с проводимостью ''р''-типа, называемой коллектором. Если бы не было левого р-n-перехода, сила тока в цепи коллектора была бы близка к нулю, так как сопротивление обратного перехода очень велико. При существовании же тока в левом ''р-n''-переходе появляется ток и в цепи коллектора, причем сила тока в коллекторе лишь немного меньше силы тока в эмиттере.<br>   Это объясняется следующим. При создании напряжения между эмиттером и базой основные носители полупроводника ''р''-типа (дырки) проникают в базу, где они являются уже ''неосновными носителями''. Поскольку толщина базы очень мала и число основных носителей (электронов) в ней невелико, попавшие в нее дырки почти не объединяются (не рекомбинируют) с электронами базы и проникают в коллектор за счет диффузии. Правый р-n-переход закрыт для основных носителей заряда базы - электронов, но не для дырок. В коллекторе дырки увлекаются электрическим полем и замыкают цепь. Сила тока, ответвляющегося в цепь эмиттера из базы, очень мала, так как площадь сечения базы в горизонтальной (см. рис. 16.17) плоскости много меньше сечения в вертикальной плоскости.<br>   Сила тока в коллекторе, почти равная силе тока в эмиттере, изменяется вместе с током через эмиттер. Сопротивление резистора ''R'' мало влияет на ток в коллекторе, и это сопротивление можно сделать достаточно большим. Управляя током эмиттера с помощью источника переменного напряжения, включенного в его цепь, мы получим синхронное изменение напряжения на резисторе ''R''.<br>   При большом сопротивлении резистора изменение напряжения на нем может в десятки тысяч раз превышать изменение напряжения сигнала в цепи эмиттера. Это означает усиление напряжения. Поэтому на нагрузке ''R'' можно получить электрические сигналы, мощность которых во много раз превосходит мощность, поступающую в цепь эмиттера.<br>   '''Применение транзисторов'''. Современная электроника базируется на микросхемах и микропроцессорах, включающих в себя колоссальное число транзисторов. Компьютеры, составленные из микросхем и микропроцессоров, фактически изменили окружающий человека мир. В настоящее время не существует ни одной области человеческой деятельности, где компьютеры не служили бы активными помощниками человека. Например, в космических исследованиях или высокотехнологичных производствах работают микропроцессоры, уровень организации которых соответствует искусственному интеллекту.<br>   Транзисторы (рис.16.18, 16.19) получили чрезвычайно широкое распространение в современной технике. Они заменяют электронные лампы в электрических цепях научной, промышленной и бытовой аппаратуры. Портативные радиоприемники, использующие такие приборы, в обиходе называются транзисторами. Преимуществом транзисторов (так же как и полупроводниковых диодов) по сравнению с электронными лампами является прежде всего отсутствие накаленного катода, потребляющего  значительную мощность и требующего времени для его разогрева. Кроме того, эти приборы в десятки и сотни раз меньше по размерам и массе, чем электронные лампы. Работают они при более низких напряжениях.<br>[[Image:~~a16~~.18.jpg\|center]][[Image:~~a16~~.19.jpg\|center]]   Свойства ''р-n''-перехода в полупроводниках используются для усиления и генерации электрических колебаний.<br><br><br>   ???<br>   1. Почему база транзистора должна быть узкой?<br>   2. Как надо включать в цепь транзистор, у которого база является полупроводником ''р''-типа, а эмиттер и коллектор - полупроводниками ''n''-типа?<br>   3. Почему сила тока в коллекторе почти равна силе тока в эмиттере?<br>	+	Транзистор - хитроумный прибор. Понять принципы работы транзистора нелегко, но ведь его сумели изобрести! Надеемся, что вы сможете понять, как он работает, даже по краткому описанию.<br>   Рассмотрим один из видов транзисторов из германия или кремния с введенными в них донорными и акцепторными примесями. Распределение примесей таково, что создается очень тонкая (толщиной порядка нескольких микрометров) прослойка полупроводника ''n''-типа между двумя слоями полупроводника ''р''-типа (''рис.16.17''). Эту тонкую прослойку называют '''основанием''', или '''базой'''.<br>[[Image:A16.17.jpg\|center\|597x266px]]   В кристалле образуются два ''р-n''-перехода, прямые направления которых противоположны. Три вывода от областей с различными типами проводимости позволяют включать транзистор в схему, изображенную на рисунке 16.17. В данной схеме левый ''р-n''-переход является ''прямым'' и отделяет базу от области с проводимостью ''р''-типа, называемую '''эмиттером'''. Если бы не было правого ''р-n''-перехода, в цепи эмиттер - база существовал бы ток, зависящий от напряжения источников (батареи Б1 и источника переменного напряжения) и сопротивления цепи, включая малое сопротивление прямого перехода эмиттер - база.<br>   Батарея Б2 включена так, что правый ''р-n''-переход в схеме (см. рис. 16.17) является ''обратным''. Он отделяет базу от правой области с проводимостью ''р''-типа, называемой коллектором. Если бы не было левого р-n-перехода, сила тока в цепи коллектора была бы близка к нулю, так как сопротивление обратного перехода очень велико. При существовании же тока в левом ''р-n''-переходе появляется ток и в цепи коллектора, причем сила тока в коллекторе лишь немного меньше силы тока в эмиттере.<br>   Это объясняется следующим. При создании напряжения между эмиттером и базой основные носители полупроводника ''р''-типа (дырки) проникают в базу, где они являются уже ''неосновными носителями''. Поскольку толщина базы очень мала и число основных носителей (электронов) в ней невелико, попавшие в нее дырки почти не объединяются (не рекомбинируют) с электронами базы и проникают в коллектор за счет диффузии. Правый р-n-переход закрыт для основных носителей заряда базы - электронов, но не для дырок. В коллекторе дырки увлекаются электрическим полем и замыкают цепь. Сила тока, ответвляющегося в цепь эмиттера из базы, очень мала, так как площадь сечения базы в горизонтальной (см. рис. 16.17) плоскости много меньше сечения в вертикальной плоскости.<br>   Сила тока в коллекторе, почти равная силе тока в эмиттере, изменяется вместе с током через эмиттер. Сопротивление резистора ''R'' мало влияет на ток в коллекторе, и это сопротивление можно сделать достаточно большим. Управляя током эмиттера с помощью источника переменного напряжения, включенного в его цепь, мы получим синхронное изменение напряжения на резисторе ''R''.<br>   При большом сопротивлении резистора изменение напряжения на нем может в десятки тысяч раз превышать изменение напряжения сигнала в цепи эмиттера. Это означает усиление напряжения. Поэтому на нагрузке ''R'' можно получить электрические сигналы, мощность которых во много раз превосходит мощность, поступающую в цепь эмиттера.<br>   '''Применение транзисторов'''. Современная электроника базируется на микросхемах и микропроцессорах, включающих в себя колоссальное число транзисторов. Компьютеры, составленные из микросхем и микропроцессоров, фактически изменили окружающий человека мир. В настоящее время не существует ни одной области человеческой деятельности, где компьютеры не служили бы активными помощниками человека. Например, в космических исследованиях или высокотехнологичных производствах работают микропроцессоры, уровень организации которых соответствует искусственному интеллекту.<br>   Транзисторы (рис.16.18, 16.19) получили чрезвычайно широкое распространение в современной технике. Они заменяют электронные лампы в электрических цепях научной, промышленной и бытовой аппаратуры. Портативные радиоприемники, использующие такие приборы, в обиходе называются транзисторами. Преимуществом транзисторов (так же как и полупроводниковых диодов) по сравнению с электронными лампами является прежде всего отсутствие накаленного катода, потребляющего  значительную мощность и требующего времени для его разогрева. Кроме того, эти приборы в десятки и сотни раз меньше по размерам и массе, чем электронные лампы. Работают они при более низких напряжениях.<br>[[Image:A16.18.jpg\|center\|222x164px]][[Image:A16.19.jpg\|center\|332x169px]]   Свойства ''р-n''-перехода в полупроводниках используются для усиления и генерации электрических колебаний.<br><br><br>   ???<br>   1. Почему база транзистора должна быть узкой?<br>   2. Как надо включать в цепь транзистор, у которого база является полупроводником ''р''-типа, а эмиттер и коллектор - полупроводниками ''n''-типа?<br>   3. Почему сила тока в коллекторе почти равна силе тока в эмиттере?<br>

-		+	<br> ''Г.Я.Мякишев, Б.Б.Буховцев, Н.Н.Сотский, Физика 10 класс''
-	''Г.Я.Мякишев, Б.Б.Буховцев, Н.Н.Сотский, Физика 10 класс''	+

	<br> <sub>Планирование уроков [[Физика и астрономия\|по физике]], ответы на тесты, задания и ответы по классам, домашнее задание и работа [[Физика 10 класс\|по физике для 10 класса]]</sub>		<br> <sub>Планирование уроков [[Физика и астрономия\|по физике]], ответы на тесты, задания и ответы по классам, домашнее задание и работа [[Физика 10 класс\|по физике для 10 класса]]</sub>

User3 в 21:04, 28 августа 2010

2010-08-28T21:04:44Z

← Предыдущая		Версия 21:04, 28 августа 2010
Строка 1:		Строка 1:
	'''[[Гипермаркет знаний - первый в мире!\|Гипермаркет знаний]]>>[[Физика и астрономия\|Физика и астрономия]]>>[[Физика 10 класс\|Физика 10 класс]]>>Физика: Транзисторы '''		'''[[Гипермаркет знаний - первый в мире!\|Гипермаркет знаний]]>>[[Физика и астрономия\|Физика и астрономия]]>>[[Физика 10 класс\|Физика 10 класс]]>>Физика: Транзисторы '''

		+	<br>

		+	<metakeywords>Физика, 10 класс, Транзисторы</metakeywords>

-	<~~metakeywords~~>~~Физика~~, ~~10 класс~~, Транзисторы<~~/metakeywords~~>	+	Транзистор - хитроумный прибор. Понять принципы работы транзистора нелегко, но ведь его сумели изобрести! Надеемся, что вы сможете понять, как он работает, даже по краткому описанию.<br>   Рассмотрим один из видов транзисторов из германия или кремния с введенными в них донорными и акцепторными примесями. Распределение примесей таково, что создается очень тонкая (толщиной порядка нескольких микрометров) прослойка полупроводника ''n''-типа между двумя слоями полупроводника ''р''-типа (''рис.16.17''). Эту тонкую прослойку называют '''основанием''', или '''базой'''.<br>[[Image:a16.17.jpg\|center]]   В кристалле образуются два ''р-n''-перехода, прямые направления которых противоположны. Три вывода от областей с различными типами проводимости позволяют включать транзистор в схему, изображенную на рисунке 16.17. В данной схеме левый ''р-n''-переход является ''прямым'' и отделяет базу от области с проводимостью ''р''-типа, называемую '''эмиттером'''. Если бы не было правого ''р-n''-перехода, в цепи эмиттер - база существовал бы ток, зависящий от напряжения источников (батареи Б1 и источника переменного напряжения) и сопротивления цепи, включая малое сопротивление прямого перехода эмиттер - база.<br>   Батарея Б2 включена так, что правый ''р-n''-переход в схеме (см. рис. 16.17) является ''обратным''. Он отделяет базу от правой области с проводимостью ''р''-типа, называемой коллектором. Если бы не было левого р-n-перехода, сила тока в цепи коллектора была бы близка к нулю, так как сопротивление обратного перехода очень велико. При существовании же тока в левом ''р-n''-переходе появляется ток и в цепи коллектора, причем сила тока в коллекторе лишь немного меньше силы тока в эмиттере.<br>   Это объясняется следующим. При создании напряжения между эмиттером и базой основные носители полупроводника ''р''-типа (дырки) проникают в базу, где они являются уже ''неосновными носителями''. Поскольку толщина базы очень мала и число основных носителей (электронов) в ней невелико, попавшие в нее дырки почти не объединяются (не рекомбинируют) с электронами базы и проникают в коллектор за счет диффузии. Правый р-n-переход закрыт для основных носителей заряда базы - электронов, но не для дырок. В коллекторе дырки увлекаются электрическим полем и замыкают цепь. Сила тока, ответвляющегося в цепь эмиттера из базы, очень мала, так как площадь сечения базы в горизонтальной (см. рис. 16.17) плоскости много меньше сечения в вертикальной плоскости.<br>   Сила тока в коллекторе, почти равная силе тока в эмиттере, изменяется вместе с током через эмиттер. Сопротивление резистора ''R'' мало влияет на ток в коллекторе, и это сопротивление можно сделать достаточно большим. Управляя током эмиттера с помощью источника переменного напряжения, включенного в его цепь, мы получим синхронное изменение напряжения на резисторе ''R''.<br>   При большом сопротивлении резистора изменение напряжения на нем может в десятки тысяч раз превышать изменение напряжения сигнала в цепи эмиттера. Это означает усиление напряжения. Поэтому на нагрузке ''R'' можно получить электрические сигналы, мощность которых во много раз превосходит мощность, поступающую в цепь эмиттера.<br>   '''Применение транзисторов'''. Современная электроника базируется на микросхемах и микропроцессорах, включающих в себя колоссальное число транзисторов. Компьютеры, составленные из микросхем и микропроцессоров, фактически изменили окружающий человека мир. В настоящее время не существует ни одной области человеческой деятельности, где компьютеры не служили бы активными помощниками человека. Например, в космических исследованиях или высокотехнологичных производствах работают микропроцессоры, уровень организации которых соответствует искусственному интеллекту.<br>   Транзисторы (рис.16.18, 16.19) получили чрезвычайно широкое распространение в современной технике. Они заменяют электронные лампы в электрических цепях научной, промышленной и бытовой аппаратуры. Портативные радиоприемники, использующие такие приборы, в обиходе называются транзисторами. Преимуществом транзисторов (так же как и полупроводниковых диодов) по сравнению с электронными лампами является прежде всего отсутствие накаленного катода, потребляющего  значительную мощность и требующего времени для его разогрева. Кроме того, эти приборы в десятки и сотни раз меньше по размерам и массе, чем электронные лампы. Работают они при более низких напряжениях.<br>[[Image:a16.18.jpg\|center]][[Image:a16.19.jpg\|center]]   Свойства ''р-n''-перехода в полупроводниках используются для усиления и генерации электрических колебаний.<br><br><br>   ???<br>   1. Почему база транзистора должна быть узкой?<br>   2. Как надо включать в цепь транзистор, у которого база является полупроводником ''р''-типа, а эмиттер и коллектор - полупроводниками ''n''-типа?<br>   3. Почему сила тока в коллекторе почти равна силе тока в эмиттере?<br>


		+	''Г.Я.Мякишев, Б.Б.Буховцев, Н.Н.Сотский, Физика 10 класс''

-	~~''Г.Я.Мякишев, Б.Б.Буховцев, Н.Н.Сотский, Физика 10 класс''~~	+	<br> <sub>Планирование уроков [[Физика и астрономия\|по физике]], ответы на тесты, задания и ответы по классам, домашнее задание и работа [[Физика 10 класс\|по физике для 10 класса]]</sub>
-		+
-	<br> <sub>Планирование уроков [[~~Физика_и_астрономия~~\|по физике]], ответы на тесты, задания и ответы по классам, домашнее задание и работа [[~~Физика_10_класс~~\|по физике для 10 класса]]</sub>	+

	'''<u>Содержание урока</u>'''		'''<u>Содержание урока</u>'''

User3: Создана новая страница размером '''Гипермаркет знаний>>[[Физика и аст...

2010-08-28T20:54:51Z

Создана новая страница размером '''Гипермаркет знаний>>[[Физика и аст...

Новая страница

'''[[Гипермаркет знаний - первый в мире!|Гипермаркет знаний]]>>[[Физика и астрономия|Физика и астрономия]]>>[[Физика 10 класс|Физика 10 класс]]>>Физика: Транзисторы '''

<metakeywords>Физика, 10 класс, Транзисторы</metakeywords>

''Г.Я.Мякишев, Б.Б.Буховцев, Н.Н.Сотский, Физика 10 класс''

 Планирование уроков [[Физика_и_астрономия|по физике]], ответы на тесты, задания и ответы по классам, домашнее задание и работа [[Физика_10_класс|по физике для 10 класса]]

'''Содержание урока'''
'''[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] конспект урока '''
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] опорный каркас
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] презентация урока
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] акселеративные методы
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] интерактивные технологии

'''Практика'''
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] задачи и упражнения
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] самопроверка
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] практикумы, тренинги, кейсы, квесты
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] домашние задания
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] дискуссионные вопросы
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] риторические вопросы от учеников

'''Иллюстрации'''
'''[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] аудио-, видеоклипы и мультимедиа '''
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] фотографии, картинки
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] графики, таблицы, схемы
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] юмор, анекдоты, приколы, комиксы
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] притчи, поговорки, кроссворды, цитаты

'''Дополнения'''
'''[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] рефераты'''
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] статьи
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] фишки для любознательных
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] шпаргалки
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] учебники основные и дополнительные
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] словарь терминов
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] прочие

Совершенствование учебников и уроков
'''[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] исправление ошибок в учебнике'''
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] обновление фрагмента в учебнике
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] элементы новаторства на уроке
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] замена устаревших знаний новыми

'''Только для учителей'''
'''[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] идеальные уроки '''
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] календарный план на год
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] методические рекомендации
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] программы
[[Image:1236084776 kr.jpg|10x10px]] обсуждения

'''Интегрированные уроки'''

Если у вас есть исправления или предложения к данному уроку, [http://xvatit.com/index.php?do=feedback напишите нам].

Если вы хотите увидеть другие корректировки и пожелания к урокам, смотрите здесь - [http://xvatit.com/forum/ Образовательный форум].